tranzistory IGBT / tranzistory IRG ...
MOS N-IGBT, 600V, 96A (při 25°C) / 48A (při
MOS N-IGBT, 600V, 96A (při 25°C) / 48A (při
MOS N-IGBT, 600V, 140A (při 25°C) / 90A (při
MOS N-IGBT, 600V, 140A (při 25°C) / 90A (při
IGBT s ochr.diodou, 1200V, 40A, 300W
IGBT s ochr.diodou, 600V, 40A, 220W
MOS N-IGBT+dioda, 1200V, 65A, 520W
MOS N-IGBT+dioda, 1200V, 30A / 78…85A (při 25°C) /
MOS N-IGBT+dioda, 600V, 85A, 350W
MOS N-IGBT, 600V, 85A, 350W
MOS N-IGBT, 600V, 90A, 520W
MOS N-IGBT, 600V, 55A, 200W
MOS N-IGBT+dioda, 600V, 55A, 200W
MOS N-IGBT, 600V, 70A (při 25°C) / 41A (při
MOS N-IGBT+dioda, 600V, 49A (při 25°C) / 27A (při
MOS N-IGBT, 600V, 60A (při 25°C) / 31A (při
MOS N-IGBT, 600V, 60A (při 25°C) / 31A (při
ultra rychlý MOS N-IGBT, 600V, 8,5A, 38W, 140ns